Sciences & technologie. B, Sciences de l’ingénieur
Volume 0, Numéro 24, Pages 9-12

Effet De La Polarisation Du Substrat Sur Les Proprietes Electriques Et Hyperfrequences Du Mesfet Gaas

Auteurs : Merabtine N . Belgat M . Zaabat M . Kenzai C . Saidi Y .

Résumé

Dans cet article on décrit l’effet de la polarisation du substrat sur les caractéristiques électriques du transistor à effet de champ à l’arséniure de gallium. Une analyse basée sur l’existence d’une double charge d’espace à l’interface couche active substrat- semi isolant est appliquée à la détermination des paramètres de la couche active et de l’interface. Les propriétés des caractéristiques du courant de drain et celles de l’admittance de sortie et les phénomènes physiques liés à cette interface sont attribués à la réponse dynamique de cette double charge d’espace.

Mots clés

MESFET GaAs, couche active, substrat semi-isolant.

A Comprehensive Nonlinear Model For Gaas Mesfet Transistor

Mellal Saida .  Azizi Cherifa .  Zaabat Mourad .  Ziar Toufik .  Kaddour Chahrazed .  Azizi Mounir . 
pages 12-17.


Simulation Bidimensionnelle Des Caracteristiques I-v Du Transistor Mesfet Gaas

Merabtine N .  Khemissi S .  Kenzai C . 
pages 69-74.


Les Propriétés Structurales, Optiques Et électriques Des Couches Minces De Zno:al élaborées Par Spray Ultrasonique

Hafdallah Abdelkader .  Ynineb Fayssal .  Daranfed Warda .  Attaf Nadhir .  Aida Mohamed Salah . 
pages 25-27.