Communication science et technologie
Volume 6, Numéro 1, Pages 49-56
2008-01-01

Analysis Of Generation Current In Amorphous Silicon Thin Film Transistors Study Of Film Thickness Effect.



Auteurs : Y. Bourezig . B. Bouabdallah . R. Brahimil . F. Gaffior .

Résumé

Le silicium polycristallin connaît de plus en plus un grand intérêt dans la fabrication des transistors en couches minces. Le but de ce tràvail est l'étude du courant de génération observé en mode de déplétion en fonction de l'épaisseur du .film. Cette étude consiste en, une analyse des caractéristiques de transfert expérimentales, de calculer et d'expliquer par la suite la variation du courant de génération dans toute la gamme des épaisseurs étudiées, en se basant sur la résolution numérique de l'équation de Poisson. Les résultats montrent que ce courant est assisté par champ et que la position du joint de grain parallèle joue un rôle fondamental dans l'évolution de celui-ci en fonction de l'épaisseur du film polycristallin.

Mots clés

Polysilicon, Poole-Frenkel Effect, electrostatic coupling

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