Courrier du Savoir scientifique et technique
Volume 3, Numéro 3, Pages 37-40
2014-04-16
Simulation Of The Pre- And Post-transit Time Of Flight Methods In Amorphous Silicon-like. N+-i-p+ -cells
Auteurs : Meftah Am . Meftah Af . Merazga A .
Résumé
Dans cet article, nous étudions, par simulation numérique, le photocourant transitoire (PCT) résultant de l'application de la technique 'temps de vol' (TOF) à une cellule n+-i-p+ en a-Si:H en utilisant une densité des états (DOS) typique au silicium amorphe. Les deux méthodes de pré et post-transit, couramment utilisées pour déterminer la distribution énergétique des états localisés dans le gap, sont ensuite appliquées au PCT simulé pour reconstruire la DOS proposée. On démontre que les deux méthodes de reconstitution sont complémentaires et fournissent un moyen de détermination du temps de transit.
Mots clés
N+-I-P+,
Les articles similaires
بوسالم أحلام
.
عابد يوسف
.
ص 117-132.
Yahia Zeghoudi
.
pages 74-88.
Ahmed Idda
.
Leila Ayat
.
Said Bentouba
.
pages 172-181.
Hadj Kouider W.
.
Belfar A.
.
Ait-kaci H.
.
pages 015-018.
Said Houari Amel
.
pages 257-268.
