Algerian Journal of Research and Technology
Volume 0, Numéro 0, Pages 1-9
2016-09-01

élaboration Et Caractérisation Des Couches Minces De Sulfure De Zinc (zns) Préparés Par La Technique Silar (successive Ionic Layer Adsorption And Reaction)



Auteurs : Djelloul A .

Résumé

Le sulfure de zinc appartient au groupe II-VI des matériaux composés semi-conducteurs. Le ZnS est un matériau semi-conducteur très important avec un grand gap optique (>3.5 ev), dont une grande utilité dans les dispositifs en couches minces, comme les dispositifs photo-luminescents et diodes électroluminescentes. En outre, le ZnS est un matériau important dans les diodes émettrices en petite longueur d’onde et dans les cellules solaires à base des couches mince en hétérojonctions comme couche tampon. Dans ce travail, on s’est intéressé à l’élaboration des couches minces d’un semi-conducteur du type II-VI : le sulfure de Zinc (ZnS), et à l'étude de ses propriétés optiques, électriques, structurales et morphologique qui ont été préparées par la technique SILAR (Successif ionique Layer Adsorption and Reaction). Notre objectif est de donner une étude compréhensive sur l’effet du nombre de cycles sur les propriétés physiques de couches minces de ZnS. Dans la première partie de ce travail nous avons mis au point les techniques de dépôt ; la deuxième partie, est relative à l’élaboration d’une série de films avec différentes conditions de déposition en vue d’une optimisation du procédé dans le but d'obtenir des films avec de bonnes propriétés optoélectroniques pour être appliqués éventuellement en photovoltaïque. Nous avons ensuite effectuaient des analyses d’échantillons élaborées par différentes techniques de caractérisation : DRX, MEB, EDAX, mesures électriques et optiques, enfin la caractérisation Ie(V) de l’hétérojonction [(SnO2 : F)/ZnS], [(ZnO : Al)/ZnS], [ZnS/CIS].

Mots clés

ZnS, Couche tampon, SILAR, CBD, Hétérojonctions.

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