Sciences & Technologie
Volume 0, Numéro 15, Pages 5-8
2001-06-30
الكاتب : عطاف ع . عيدة م.ص . بن خذير م.ل .
تستعمل رقائق نيتريد السيليسيوم اللامتبلور (a-SiN) المحضرة تحت درجة حرارة منخفضة بكثرة في ميدان الإلكترونيات الدقيقة. و لملاحظة تأثير الاستطاعة RF على الخصائص الكهربائية لهذه الرقائق، تم ترسيب مجموعة منها تتراوح استطاعة توضعها بين 150 واط و 400 واط. تمت دراسة تغيرات التيار و السعة بدلالة الجهد و ذلك باستخدام تركيبة: (MIS)، حيث كان للاستطاعة RF تأثير واضح على هذه الخصائص، إذ بزيادتها تغير نوع النقل من الأومي إلى البـول-فرنكل، أما المقاومية () فقد أبدت تزايدا مع زيادة الاستطاعة، بينما تناقص مجال الانهيار الكهربائي وثابت العازلية الديناميكي (d) مع زيادتها. دراسة السعـة الكهربائية C(v) بينـت أن الرقائق تحتوي على حوامـل شحـن في الحجـم و في منطقة التداخـل و تزايدت بزيـادة الاستطاعة RF، بينما أبدى ثابت العازلية الساكن (s) ارتفاعا كبيرا عند الإستطاعات الضعيفة ثم حدث له سقوط سريع، بعدها بدأ في التزايـد بزيادة الاستطاعة.
نيتريد السيليسيوم، الرش المهبطي، الشرائح الرقيقة، الخصائص الكهربائية
علي بوخلخال
.
صدام حسين بن يحي
.
عامر بن شتوح
.
ص 52-65.
صيد علي
.
بن منصور ليليا
.
ص 365-379.
صيد علي
.
بن منصور ليليا
.
ص 156-167.