Comportement elasto - électrique des Semi-conducteurs Binaires (IV. VI), (III.VI) et(II.VI)

M., Hemessi; N., Guenifi; F., All Sahraoui

Communication science et technologie
Volume 1, Numéro 1, Pages 101-106
2002-06-01

Comportement Elasto - électrique Des Semi-conducteurs Binaires (iv. Vi), (iii.vi) Et(ii.vi)

Auteurs : M. Hemessi . N. Guenifi . F. All Sahraoui .

Résumé

Les alliages des semi-conducteurs binaires ont un intérêt important en technologie, surtout pour la réalisation des systèmes acoustoéléctroniques. L'utilisation de ces semiconducteurs dans J'industrie nécessite donc une parfaite connaissance de leurs propriétés mécanique et électrique. Dans la caractérisation des semi-conducteurs, la charge effective dynamique transverse est l'un des paramètres les plus important dans la dynamique de leurs réseaux. . Dans ce présent travail nous proposons d'étudier les propriétés électriques et mécaniques des semi-conducteurs binaires se cristallisant dans la structure de la zinc blende et diamant. Nous examinons l'influence de la charge effective dynamique e*-rsur des modules élastiques. Nous appuyons nos calculs sur une modélisation faite à partir d'une combinaison de deux autres modèles le premier pseudopotentiel et le deuxième la méthode des liaisons orbitales. En comparant nos résultats de simulation du nouveau modèle à ceux de l'expérience on vérifie la validé et les avantages de cette méthode théorique.