Communication science et technologie
Volume 11, Numéro 2, Pages 49-57
2013-07-01
Auteurs : Z. Rebaoui . D. Chalabi Chalabi . A. Saïdane . M. Abboun Abid .
Abstract - Dans cet article nous avons présenté une étude comparative d’un MOSBULK et d’un NMOSiGeOI en faisant la superposition d’un MOS, d’un bipolaire NPN et d’un condensateur. Le simulateur PSPICE et le modèle BSIM3V3 ont été utilisés. A travers les caractéristiques ID=f(VDS), ID=f(VGS), de la conductance et de la transconductance nous montrons le bon fonctionnement du dispositif calculé en faible tension. Nous notons en revanche quelques effets inhérents au MOSiGeOI.
MOS BULK, MOSiGeOI, BiCMOS, LVDS, BSIM3V3, transistor parasite
Boumarafi Behdja
.
pages 226-237.
Bessai F.z
.
Boutouhami Sara
.
Zeddigha Ismahane
.
pages 1-24.
Aksa Karima
.
Harrag Mohieddine
.
pages 702-717.
Khenniche Idir
.
pages 120-121.
Wadie Bachir Bouiadjra Bouiadjra
.
pages 93-101.