Communication science et technologie
Volume 10, Numéro 1, Pages 103-108
2012-01-01
Etude De L’electrode De Contact Avant De La Structure Ito/p-a- Si:h/i-pm-si:h/n-c-si/al Avec Le Logiciel Asdmp
Auteurs : H. Madani Yssaad H. .
Résumé
Resume : La courbure de bande entre le TCO/p-a-Si :H est parmi les facteurs les plus importants qui limitent les performances des hétérojonctions à base de silicium amorphe /silicium cristallin Dans cet article nous avons utilisé le logiciel ASDMP (Amorphous Semiconductor Device Modeling Program) pour étudier et analyser l’effet de cette courbure de bande de l’électrode de contact avant de la structure (HIT) ITO/p-a-Si:H/i-pm-Si:H/n-c-Si/Al. Nous avons montré que lorsque l'on augmente cette courbure de bande (Augmentation de la hauteur de la barrière de potentiel) qui mène à un meilleur contact ohmique entre l’ITO et la couche p-a-Si:H, le Vbi augmente et le champ électrique à l’interface ITO/p-a-Si :H diminue. Cette réduction du champ va permettre aux trous de passer de la couche p au contact, ce qui va faciliter la collecte des paires électrons trous.
Mots clés
Cellules solaires - HIT - Simulation - Courbure de bande - Caractéristique I(V).
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