Revue des matériaux et énergies renouvelables
Volume 5, Numéro 1, Pages 28-34
2021-07-05
Etude Des Propriétés électroniques Et Structurales Des Composés Inx (x=as, Sb, P)
Auteurs : Dilmi Toufik .
Résumé
ABSTRACT In this work, we studied the electronic properties (electronic band structure, charge density) and structural (polarity, ionicity factor) of three Indium-based III-V compounds (InAs, InSb, InP) in the zinc blende phase. Throughout the study, we used the EPM empirical pseudopotentials method. The aim of this work is to study the variation of the symmetric form factors Vs (3), Vs (8), Vs (11), and antisymmetric Va (3), Va (4), Va (11), of the pseudopotentials according to the ionicity in the following semiconductors: InSb, InAs, InP. In this study, Our calculations showed that the antisymmetric gap in results closer to those of the literature. RESUME Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés électroniques (la structure de bande électronique, densité de charge ) et structurales (la polarité, la facteur d’ionicité ) de trois composés de types III-V à base de l’Indium (InAs,InSb,InP) dans la phase zinc blende. Dans toute l’étude,nous avons utilisé la méthode des pseudopotentiels empiriques EPM. Le but de ce travail est d'étudier la variation des facteurs de forme symétriques Vs(3), Vs(8), Vs(11), et antisymétriques Va(3), Va(4), Va(11), des pseudopotentiels en fonction de l'ionicité dans les semiconducteurs suivants : InSb, InAs, InP. Dans cette étude, Nos calculs ont montré que le gap antisymétrique dans des résultats plus proches à ceux de littérature.
Mots clés
Ionicité ; Pseudopotentiel ; Semiconducteur; Indium
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