Communication science et technologie
Volume 16, Numéro 1, Pages 13-24
2018-01-01
Effet De La Largeur Des Queues De Bandes Du Silicium Amorphe Sur Le Rendement D’une Cellule Solaire à Hétérojonction
Auteurs : Madani Yssad H. . Rahal W.l. . Rached D. .
Résumé
Dans cet article, deux des facteurs qui limitent les performances des cellules solaires HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin Layer) à base d’hétérojonction silicium amorphe/silicium cristallin ont été étudiés. Dans un premier temps, nous nous sommes intéressé à l’influence des énergies caractéristiques des queues de bande de valence EA et de conduction ED du silicium amorphe hydrogéné [1], puis nous avons analysé l’effet des mobilités des électrons n et des trous p de la couche fenêtre de la structure ITO/p-a-Si:H /i-pm-Si:H /n-c-Si/Al. A cet effet, nous avons utilisé le logiciel ASDMP (Amorphous Semiconductor Device Modeling Program) [1,2] pour effectuer nos simulations. Nos résultats ont montré qu’une diminution de ED dans la couche p-a-Si:H décroît la densité des états donneurs dans le gap, ainsi que les recombinaisons des trous dans cette couche. Cependant aucune amélioration n’a été observée lorsque EA diminue. D’autre part, nous avons démontré que lorsque l’on augmente les mobilités des électrons µn et des trous µp le rendement des cellules étudiées est amélioré.
Mots clés
cellule solaire HIT, silicium amorphe, silicium cristallin, énergies caractéristiques, queues de bandes, mobilités, ASDMP.
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