Rеvuе des Energies Renouvelables
Volume 11, Numéro 2, Pages 259-266
2008-06-30
Etude Analytique D’une Cellule Solaire à Hétérojonction P+ (gaas)/n (alxga1-xas)/n (al0.4ga0.6as)
Auteurs : Ben Slimane H. . Helmaoui A. .
Résumé
Afin de réduire les pertes par recombinaison dans la zone de charge d’espace pour les cellules GaAs, nous proposons une structure p+ (GaAs)/ n (AlxGa1-xAs)/ N (Al0.4Ga0.6As) avec une interface à bande interdite graduelle entre l’émetteur p+ (GaAs) et la base N (Al0.4Ga0.6As). Le courant de recombinaison dans une telle cellule est discuté, ainsi que l’influence de ce courant sur les caractéristiques photovoltaïques. L’épaisseur de la couche à bande interdite graduelle n (AlxGa1- xAs) a été étudié, il est de l’ordre de 800 à 900 Å.
Mots clés
AlGaAs, Recombinaison, Cellule solaire à hétérojonction, hétérojonction graduelle.
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