Electrically Active Defects in Silicon after various Optical Thermal Processing

Barhdadi, A.; Muller, J.c.

Rеvuе des Energies Renouvelables
Volume 3, Numéro 1, Pages 29-38
2000-06-30

Electrically Active Defects In Silicon After Various Optical Thermal Processing

Authors : Barhdadi A. . Muller J.c. .

Abstract

Des diodes Schottky sont réalisées sur du silicium monocristallin de type n après des traitements thermiques optiques par laser pulsé ou par impulsions lumineuses en "flash". Les caractéristiques électriques de ces diodes sont mesurées en fonction de la densité d'énergie déposée. Leurs paramètres électriques principaux montrent une grande dégradation à partir d'une énergie seuil qui fait fondre les surfaces irradiées. Les mesures capacitives et analyses DLTS montrent la présence de plusieurs niveaux profonds associés à des centres donneurs dans les zones traitées. Ces résultats sont comparés à ceux parallèlement obtenus sur des échantillons de type p ayant subi des traitements isothermiques conventionnels ou rapides.